型号:  FDG6316P

功能描述:  MOSFET

制造商:  Fairchild / ON Semiconductor

系列：  FDG

单位重量：  28 mg

高度：  1.1 mm

长度：  2 mm

类型：  MOSFET

宽度：  1.25 mm

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

技术：  Si

安装风格：  SMD/SMT

零件号别名：  FDG6316P_NL

商标名：  PowerTrench

配置：  Dual

典型接通延迟时间：  5 ns

上升时间：  13 ns

Vgs-栅极-源极电压：  8 V

Pd-功率耗散：  300 mW

通道数量：  2 Channel

Id-连续漏极电流：  - 700 mA

Vds-漏源极击穿电压：  - 12 V

晶体管类型：  2 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  270 mOhms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  P-Channel

典型关闭延迟时间：  8 ns

正向跨导-最小值：  2.5 S

FET类型：  2 个 P 沟道（双）

FET功能：  逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  700mA

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  270 毫欧 @ 700mA，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  2.4nC @ 4.5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  146pF @ 6V

功率-最大值：  300mW

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SC-70-6

封装形式Package：  SC-70

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  12V

连续漏极电流ID：  0.7A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs