型号: FDG6316P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 12 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: - 0.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.27 Ohms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SC-70-6
封装: Reel
下降时间: 13 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 2.5 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.3 W
上升时间: 13 ns
典型关闭延迟时间: 8 ns
联系人：朱先生
电话：13723794312
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：麦逸芬
电话：13430483190
Q Q:
联系人：王先生
电话：13683302275
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈凯敏
电话：18320771255
Q Q:
联系人：刘小曹
电话：18621925260
Q Q:
联系人：付志彬
电话：13923718679
Q Q:
