型号: FDG6321C-F169
功能描述: INTEGRATED CIRCUIT
制造商: ON Semiconductor
包装: 散装
系列: -
零件状态: 停產
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）: 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 500mA（Ta），410mA（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 410mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 2.3nC @ 4.5V，1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 50pF @ 10V，62pF @ 10V
功率 - 最大值: 300mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
联系人：蔡小姐
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联系人：Alien
Q Q:
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