型号:  FDG6332C-F085P

功能描述:  MOSFET DUAL NP MOS SC70-6 20V

制造商:  ON Semiconductor

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SC-70-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  0.7 A, - 0.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  300 mOhms, 420 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  0.6 V, - 1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  1.5 nC, 2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  0.3 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:  2.8 S, 1.8 S

下降时间:  1.5 ns, 1.7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  7 ns, 14 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  9 ns, 6 ns

典型接通延迟时间:  5 ns, 5.5 ns