型号: FDM606P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: - 6.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.026 Ohms
配置: Single Hex Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MicroFET-8
封装: Reel
下降时间: 46 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.92 W
上升时间: 46 ns
典型关闭延迟时间: 134 ns
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：高小姐
电话：15815599832
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
电话：18898775818
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：18823802745
Q Q:
联系人：刘玉花
电话：13302927908
Q Q:
联系人：刘财路
电话：13410000176
Q Q:
联系人：范
电话：13138158151
Q Q:
