型号: FDM606P_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: - 6.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.026 Ohms
配置: Single Hex Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MicroFET-8
封装: Reel
下降时间: 46 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.92 W
上升时间: 46 ns
典型关闭延迟时间: 134 ns
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13691998603
Q Q:
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：王小姐
电话：13715037703
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：江开德
Q Q:
联系人：陈
电话：83258848
Q Q:
联系人：叶先生
电话：17091318458
Q Q:
