型号: FDMD8680
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 66A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.7 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 73nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5330pF @ 40V
功率 - 最大值： 39W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerWDFN
供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：夏
Q Q:
联系人：潘红燕
电话：13760375256
Q Q:
联系人：游倾顷
电话：18948707085
Q Q:
