型号: FDMS3660S-F121
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 13A,30A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 8 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1765pF @ 15V
功率 - 最大值: 1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: Power56
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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