型号: FDMS4D0N12C
功能描述: MOSFET PTNG 120V N-FET 118A
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 114 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 82 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 106 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 144 S
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
Sunrise Electronic (Hong Kong) Co., Ltd
联系人：彭
Q Q:
联系人：洪小姐
电话：13421318158
Q Q:
联系人：黄小姐
Q Q:
