型号: FDMS4D0N12C
功能描述: MOSFET PTNG 120V N-FET 118A
制造商: ON Semiconductor
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PQFN-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Id-连续漏极电流: 114 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 82 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 106 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值: 144 S
下降时间: 12 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 45 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈欣
电话：13725554160
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：张开滨
Q Q:
联系人：苏先生
电话：19520683865
Q Q:
联系人：杨群
电话：13560721605
Q Q:
