型号:  FDMS3660S

功能描述:  MOSFET PowerStage Dual N-Ch PowerTrench MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  Power-56-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  13 A, 30 A

Rds On-漏源导通电阻:  8 mOhms, 1.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V, 12 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.2 W, 2.5 W

配置:  Dual

商标名:  Power Stage PowerTrench

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  6 mm

系列:  FDMS3660S

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  5 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

产品类型:  MOSFET

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

单位重量:  171 mg