型号: FDN337NX
功能描述: FDN337NX, N-channel MOSFET Transistor 2.2A 30V, 3-Pin SuperSOT
制造商: Fairchild Semiconductor
类别： Power MOSFET
通道模式： Enhancement
渠道类型： N
配置： Single
外形尺寸： 2.92 x 1.4 x 0.94mm
身高： 0.94mm
长度： 2.92mm
最大连续漏极电流： 2.2 A
最大漏源电阻： 0.065 Ω
最大漏源电压： 30 V
最大门源电压： ±8 V
最高工作温度： +150 °C
最大功率耗散： 0.5 W
最低工作温度： -55 °C
安装类型： Surface Mount
每个芯片的元件数： 1
包装类型： SuperSOT
引脚数： 3
典型栅极电荷@ VGS： 7 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS： 300 pF V @ 10
典型关闭延迟时间： 17 ns
典型导通延迟时间： 4 ns
宽度： 1.4mm
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