型号: FDN337NX
功能描述: FDN337NX, N-channel MOSFET Transistor 2.2A 30V, 3-Pin SuperSOT
制造商: Fairchild Semiconductor
类别: Power MOSFET
通道模式: Enhancement
渠道类型: N
配置: Single
外形尺寸: 2.92 x 1.4 x 0.94mm
身高: 0.94mm
长度: 2.92mm
最大连续漏极电流: 2.2 A
最大漏源电阻: 0.065 Ω
最大漏源电压: 30 V
最大门源电压: ±8 V
最高工作温度: +150 °C
最大功率耗散: 0.5 W
最低工作温度: -55 °C
安装类型: Surface Mount
每个芯片的元件数: 1
包装类型: SuperSOT
引脚数: 3
典型栅极电荷@ VGS: 7 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS: 300 pF V @ 10
典型关闭延迟时间: 17 ns
典型导通延迟时间: 4 ns
宽度: 1.4mm
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