型号:  FDN359BN

功能描述:  MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SSOT-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  2.7 A

Rds On-漏源导通电阻:  46 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW (1/2 W)

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.12 mm

长度:  2.9 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  FDN359BN

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  1.4 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:  5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

单位重量:  30 mg