FDN5632N_F085规格参数_FDN5632N_F085全国代理商/分销商

型号: FDN5632N_F085
功能描述: Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN5632N_F085, 1.7 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商: Fairchild Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 1.7 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 135 m0hms
最大栅阈值电压： 3V
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： SOT-23
安装类型：表面贴装
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 1.1 W
长度： 2.92mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 2.92 x 1.4 x 0.94mm
宽度： 1.4mm
系列： PowerTrench
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 9.2 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 475 pF @ 15 V
典型关断延迟时间： 5.2 ns
典型接通延迟时间： 15 ns
最低工作温度： -55 °C
高度： 0.94mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs