FDP020N06B_F102规格参数_FDP020N06B_F102全国代理商/分销商

型号: FDP020N06B_F102
功能描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP020N06B_F102, 120 A，313 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 120 A，313 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 2 m0hms
最小栅阈值电压： 2.5V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220
安装类型：通孔
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
最大功率耗散： 333 W
每片芯片元件数目： 1
系列： PowerTrench
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 206 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 16100 pF @ 30 V
典型关断延迟时间： 112 ns
典型接通延迟时间： 74 ns
宽度： 4.672mm
最低工作温度： -55 °C
尺寸： 10.36 x 4.672 x 15.215mm
长度： 10.36mm
高度： 15.215mm
最高工作温度： +175 °C
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs