型号: FDP027N08B_F102
功能描述:
制造商: Fairchild / ON Semiconductor
系列: PowerTrench®
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 120A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 178nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 13530pF @ 40V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 246W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 2.7 毫欧 @ 100A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
封装形式Package: TO-220
极性Polarity: N-CH
漏源极击穿电压VDSS: 80V
连续漏极电流ID: 223A
无铅情况/RoHs: 否
联系人:刘先生,李小姐
电话:13510175077
联系人:林炜东,林俊源
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:Alien
联系人:朱小姐
电话:13652405995
联系人:梁小姐
电话:18126442734
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:胡火平
电话:13713793406
联系人:李斌
电话:137888932104
联系人:刘小姐
电话:15724096779