型号: FDP053N08B_F102
功能描述:
制造商: Fairchild / ON Semiconductor
系列： PowerTrench®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 75A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 85nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5960pF @ 40V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 146W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 5.3 毫欧 @ 75A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
封装形式Package： TO-220
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 80V
连续漏极电流ID： 120A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
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Q Q:
联系人：王
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Q Q:
联系人：吴先生
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Q Q:
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Q Q:
