型号: FDP2570_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 150 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 22 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.08 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 23 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 39 S
最小工作温度: - 65 C
功率耗散: 93 W
上升时间: 5 ns
典型关闭延迟时间: 33 ns
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18194045272
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：朱芳仪
电话：18123863116
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13417122760
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：程小姐,叶小姐
电话：18916238831
Q Q:
联系人：李生
电话：13922231491
Q Q:
联系人：李小姐
电话：13424246946
Q Q:
