型号: FDP8870-F085
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 19A（Ta），156A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 132nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5200pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 160W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 4.1 毫欧 @ 35A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220AB
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：张林
电话：18024788884
Q Q:
联系人：钟先生
电话：13651452793
Q Q:
联系人：刘思，戴勇
电话：13825289019
Q Q:
