FDP8870_F085规格参数_FDP8870_F085全国代理商/分销商

型号: FDP8870_F085
功能描述: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP8870_F085, 156 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商: ON Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 156 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 6.5 m0hms
最小栅阈值电压： 1.2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-220AB
安装类型：通孔
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 160 W
典型接通延迟时间： 11 ns
典型关断延迟时间： 70 ns
典型输入电容值@Vds： 5200 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs： 106 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： PowerTrench
宽度： 4.7mm
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +175 °C
长度： 10.67mm
高度： 16.3mm
尺寸： 10.67 x 4.7 x 16.3mm
每片芯片元件数目： 1
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs