型号: FDR6678A
功能描述: MOSFET SSOT-8 N-CH 30V
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 7.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-8
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single Quint Drain Dual Source
下降时间: 9 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 9 ns
系列: FDR6678A
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
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