型号: FDR836P
功能描述: MOSFET DISC BY MFG 2/02
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 6.1 A
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-8
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single Quint Drain Dual Source
下降时间: 14 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 14 ns
系列: FDR836P
典型关闭延迟时间: 225 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
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