型号: FDR836P
功能描述: MOSFET DISC BY MFG 2/02
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
Id-连续漏极电流: 6.1 A
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 8 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-8
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single Quint Drain Dual Source
下降时间: 14 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 14 ns
系列: FDR836P
典型关闭延迟时间: 225 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：李腊
电话：18823425953
Q Q:
联系人：林秋云
电话：18501616159
Q Q:
联系人：刘丹
电话：13682527286
Q Q:
