型号: FDS6680A_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 12.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.0095 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 15 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值): 64 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 5 ns
典型关闭延迟时间: 27 ns
联系人:李小姐
电话:13066809747
联系人:文小姐,米小姐,朱小姐
电话:13590238352
联系人:余亮
电话:15817462164
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:陈小姐
电话:18823802745
联系人:赵小姐
电话:13631261606
联系人:陈欣
电话:13725554160
联系人:李海波
电话:14701527774
联系人:陆先生
电话:15220131016
联系人:陈传城
电话:13612342533