型号: FDS6680A_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 12.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.0095 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 15 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值): 64 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 5 ns
典型关闭延迟时间: 27 ns
联系人:张小姐
电话:18688969163
联系人:詹嘉捷
电话:13286466676
联系人:陈
电话:13603072128
联系人:麦逸芬
电话:13430483190
联系人:洪
电话:13652309457
联系人:曾凯
电话:13312958426
联系人:陈小姐
电话:18823802745
联系人:杨文炎
电话:13828847993
联系人:王江超
电话:13751087602
联系人:江先生
电话:13662277794