型号: FDS6682_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 14 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0075 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 16 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 70 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 7 ns
典型关闭延迟时间: 44 ns
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：朱先生
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：陈传城
电话：13528411877
Q Q:
联系人：刘怡婷
电话：13322983924
Q Q:
联系人：姚小姐
电话：14774935925
Q Q:
