型号: FDS6682_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 14 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0075 Ohms
配置: Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8 Narrow
封装: Reel
下降时间: 16 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 70 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 2.5 W
上升时间: 7 ns
典型关闭延迟时间: 44 ns
联系人：曾舒媚
Q Q:
联系人：周
电话：15889597042
Q Q:
联系人：吴小姐，曹先生
电话：18207603663
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：叶小姐
电话：15818661396
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：马小姐
电话：13922854643
Q Q:
联系人：朱
电话：13823781864
Q Q:
联系人：黄先生
电话：18922852427
Q Q:
联系人：张仲然
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Q Q:
