型号: FDS6692
功能描述: MOSFET SO-8
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 12 A
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 16 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-Narrow-8
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 50 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 5 ns
系列: FDS6692
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: FDS6692_NL
单位重量: 85 mg
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