型号: FDU6512A
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10.7A(Ta),36A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 19nC @ 4.5V
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1082pF @ 10V
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),43W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 21 毫欧 @ 10.7A,4.5V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: IPAK(TO-251)
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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