型号: FDW256P
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 38nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2267pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 13.5 毫欧 @ 8A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 8-TSSOP
封装/外壳： 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18923795677
Q Q:
联系人：肖生
Q Q:
联系人：方小姐
电话：13418730030
Q Q:
