型号: FF150R12KE3GHOSA1
功能描述: IGBT MOD 1200V 225A 780W
制造商: Infineon Technologies
包装: 散装
系列: -
零件状态: 有源
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 单斩波器
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 225A
功率 - 最大值: 780W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 2.15V @ 15V，150A
电流 - 集电极截止（最大值）: 5mA
不同Vce 时的输入电容（Cies）: 11nF @ 25V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨创旭
电话：13058151258
Q Q:
联系人：刘涛
电话：15389085817
Q Q:
联系人：李阔
电话：13428789181
Q Q:
