型号: FF150R12ME3G
功能描述: IGBT 模块 N-CH 1.2KV 200A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 1.7 V
在25 C的连续集电极电流: 200 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 695 W
封装 / 箱体: EconoDUAL-3
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 152 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF150R12ME3GBOSA1 SP000317332
单位重量: 345 g
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：刘先生
电话：18390902447
Q Q:
联系人：付
电话：13701726215
Q Q:
联系人：深圳市众芯创科技有限公司
电话：13554783822
Q Q:
联系人：吴小姐
Q Q:
