型号: FF200R12KT3
功能描述: IGBT 模块 N-CH 1.2KV 295A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 295 A
封装 / 箱体: 62 mm
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 30.9 mm
长度: 106.4 mm
宽度: 61.4 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FF200R12KT3HOSA1 SP000100789
单位重量: 340 g
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡泽锋
电话：13360526935
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：林女士
电话：13682587609
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13590379292
Q Q:
联系人：张杰
电话：13973450440
Q Q:
