型号: FP35R12KT4B11BOSA1
功能描述: Infineon FP35R12KT4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 23引脚 ECONO2封装
制造商: Infineon Technologies
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 35A
功率 - 最大值: 210W
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.15V @ 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值): 1mA
不同 Vce 时的输入电容(Cies): 2nF @ 25V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 是
工作温度: -40°C ~ 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: AG-ECONO2-4
供应商器件封装: 模块
配置: 3 相桥接
晶体管配置: 3 相
最大连续集电极电流: 35 A
最大集电极-发射极电压: 1200 V
最大栅极发射极电压: ±20V
通道类型: N
安装类型: PCB(印刷电路板)安装
封装类型: ECONO2
引脚数目: 23
开关速度: 1MHz
最大功率耗散: 210 W
尺寸: 107.5 x 45 x 17mm
高度: 17mm
长度: 107.5mm
最高工作温度: +150 °C
宽度: 45mm
最低工作温度: -40 °C
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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