型号: FP75R12KT4_B15
功能描述: IGBT 模块 IGBT 1200V 75A
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 385 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: FP75R12KT4B15BOSA1 SP000408728
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蒋生
电话：15919873119
Q Q:
联系人：何先生
电话：13602644386
Q Q:
联系人：张小姐
电话：23815695
Q Q:
