型号:  FQA6N90C-F109

功能描述:  MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series

制造商:  ON Semiconductor / Fairchild

制造商:  ON Semiconductor

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-3PN-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  900 V

Id-连续漏极电流:  6 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  198 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  QFET

封装:  Tube

高度:  20.1 mm

长度:  16.2 mm

系列:  FQA6N90C_F109

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5 mm

商标:  ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:  60 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  90 ns

工厂包装数量:  450

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  55 ns

典型接通延迟时间:  35 ns

零件号别名:  FQA6N90C_F109

单位重量:  6.401 g