型号: FQAF85N06
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 67 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 100 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
封装: Tube
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 170 ns
正向跨导 - 最小值: 50 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 230 ns
系列: FQAF85N06
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 175 ns
典型接通延迟时间: 40 ns
单位重量: 5.599 mg
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