型号: FQB1P50
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 1.5 A
Vds-漏源极击穿电压: - 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 10.5 Ohms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.13 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 25 ns
系列: FQB1P50
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：赵友涛
电话：18915486513
Q Q:
联系人：刘任齐
电话：13302900196
Q Q:
联系人：小赵
电话：13206957829
Q Q:
