型号: FQB50N06L
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 52 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.75 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 145 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 380 ns
系列: FQB50N06
典型关闭延迟时间: 80 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：杨小姐
Q Q:
联系人：庄
Q Q:
联系人：包R
电话：18902446425
Q Q:
