型号: FQB5N90
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 5.4 A
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.3 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.13 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 50 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 65 ns
系列: FQB5N90
典型关闭延迟时间: 65 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郭小姐
电话：15818715186
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：石小姐
Q Q:
联系人：周先生
电话：17612073080
Q Q:
联系人：林先生
电话：15099905281
Q Q:
