型号: FQB8N60CF
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 6.26 A
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd 2000 -功率耗散: 147 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
封装: Reel
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 64.5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 60.5 ns
系列: FQB8N60C
典型关闭延迟时间: 81 ns
典型接通延迟时间: 16.5 ns
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：郑小姐
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Q Q:
联系人：李先生
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联系人：木易
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联系人：李
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联系人：赵友涛
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Q Q:
