型号: FQD10N20C
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 7.8 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 360 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 50 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 72 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 92 ns
系列: FQD10N20
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
联系人:董先生
电话:19924492152
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:肖瑶,树平
电话:13926529829
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:Alien
联系人:梁小姐
电话:18126442734
联系人:王天天
电话:13636613189
联系人:郭先生
电话:15989314154
联系人:孔生
电话:18098935723
Q Q: