型号: FQD12N20LTM_F085
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： QFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 280 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 21nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1080pF @ 25V
功率 - 最大值： 2.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： D-Pak
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：吴
Q Q:
联系人：余辉
电话：13076360645
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
