型号: FQD2N60CTM_WS
功能描述: Fairchild Semiconductor/分立半导体产品
制造商: Fairchild Semiconductor
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： QFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.9A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 4.7 欧姆 @ 950mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 235pF @ 25V
功率 - 最大值： 2.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： D-Pak
其它名称： FQD2N60CTM_WSTR
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：Aivi
Q Q:
联系人：梁
电话：13913757657
Q Q:
联系人：杨小姐
电话：13728754606
Q Q:
