型号: FQD4N50
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Rds On-漏源导通电阻: 2.7 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 30 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 45 ns
系列: FQD4N50
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
Sunrise Electronic (Hong Kong) Co., Ltd
联系人：彭
Q Q:
联系人：韩先生
电话：13510177670
Q Q:
联系人：李先生
电话：13538015266
Q Q:
