型号: FQE10N20C
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 4 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 360 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 12.8 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-126-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 72 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 92 ns
系列: FQE10N20
典型关闭延迟时间: 70 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：杨丹妮
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联系人：陈晓玲
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Q Q:
