型号: FQH8N100C
功能描述: MOSFET 1000V N-Channel
制造商: ON Semiconductor / Fairchild
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.45 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 225 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: QFET
封装: Tube
高度: 20.82 mm
长度: 15.87 mm
系列: FQH8N100C
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.82 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
下降时间: 80 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 95 ns
工厂包装数量: 450
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 122 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
单位重量: 6.390 g
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