型号: FQI11P06
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 11.4 A
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 175 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.13 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: I2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 45 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 40 ns
系列: FQI11P06
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 6.5 ns
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
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Q Q:
联系人：木易
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Q Q:
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Q Q:
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Q Q:
