型号: FQI19N10LTU
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 19 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.1 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: I2PAK
封装: Rail
下降时间: 140 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3.75 W
上升时间: 410 ns
典型关闭延迟时间: 20 ns
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