型号: FQI7N80
功能描述: MOSFET
制造商: Fairchild Semiconductor
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 6.6 A
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 30 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.13 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: I2PAK-3
商标: Fairchild Semiconductor
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 55 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 80 ns
系列: FQI7N80
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
联系人：Alien
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：凌东升
电话：13923792283
Q Q:
联系人：Frank
Q Q:
联系人：郭女士
Q Q:
