型号: FQP32N20C_Q
功能描述:
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 28 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 0.082 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
下降时间: 210 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值): 20 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 156 W
上升时间: 270 ns
典型关闭延迟时间: 245 ns
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:小柯
电话:13332931905
联系人:曾小姐
电话:18025356461
联系人:廖先生,连敏妹
电话:18898775818
联系人:赵伟滨
电话:19926488141
Q Q:
联系人:王小姐,刘先生
电话:19147724283
联系人:吴新
联系人:陈小姐
电话:13715024988
联系人:祝
Q Q:
联系人:傅
电话:13514015668
Q Q: