FQT1N80TF_WS规格参数_FQT1N80TF_WS全国代理商/分销商

型号: FQT1N80TF_WS
功能描述: Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT1N80TF_WS, 200 mA, Vds=800 V, 3针+焊片 SOT-223封装
制造商: Fairchild Semiconductor
通道类型： N
最大连续漏极电流： 200 mA
最大漏源电压： 800 V
最大漏源电阻值： 20 0hms
最小栅阈值电压： 3V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： SOT-223
安装类型：表面贴装
引脚数目： 3+Tab
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 2.1 W
高度： 1.7mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 6.7 x 3.7 x 1.7mm
宽度： 3.7mm
系列： QFET
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 5.5 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 150 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 15 ns
典型接通延迟时间： 10 ns
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
长度： 6.7mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs