型号: FQU2N50BTU_WS
功能描述:
制造商: Fairchild / ON Semiconductor
系列： QFET®
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 1.6A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3.7V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 8nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 230pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±30V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），30W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 5.3 欧姆 @ 800mA，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
封装形式Package： IPAK
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 500V
连续漏极电流ID： 1.6A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
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联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈晓玲
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Q Q:
联系人：柯耿豪
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电话：13501659694
Q Q:
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Q Q:
