型号: GA20JT12-263
功能描述: MOSFET 1200V 45A Standard
制造商: GeneSiC Semiconductor
制造商: GeneSiC Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: SiC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 45 A
Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 3.44 V
Qg-栅极电荷: 104 nC
Pd-功率耗散: 282 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: GA20JT12
商标: GeneSiC Semiconductor
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 25 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 1.600 g
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