型号: GB100DA60UP
功能描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 125A 4-Pin SOT-227
制造商: vishay / semiconductor
包装： 4SOT-227
配置： Single Dual Emitter
最大集电极发射极电压： 600 V
最大连续集电极电流： 125 A
最大栅极发射极电压： ±20 V
安装： Screw
标准包装： Rail / Tube
产品种类： IGBT Transistors
集电极 - 发射极最大电压VCEO： 600 V
最高工作温度： + 150 C
封装/外壳： SOT-227-4
连续集电极电流Ic最大： 125 A
最低工作温度： - 40 C
安装风格： SMD/SMT
工厂包装数量： 180
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